[发明专利]薄膜晶体管、其制作方法及装置在审

申请号：	201911021297.9	申请日：	2019-10-24
公开（公告）号：	CN110729184A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	卢珂鑫;刘兆平	申请（专利权）人：	宁波石墨烯创新中心有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/786
代理公司：	11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)	代理人：	严诚
地址：	315000 浙江省宁***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请提供一种薄膜晶体管、其制作方法及装置，属于电子和光电子显示技术领域。薄膜晶体管的制作方法包括如下步骤：提供第一基板，第一基板包括载体源极和载体漏极。在第一基板上形成有源层。在有源层上形成栅绝缘层。在栅绝缘层上形成栅极层。在栅极层的表面形成第二基板得到前体。翻转前体，使第一基板的底面外露于有源层上。图案化第一基板，使第一基板包括分离的载体源极和载体漏极，且有源层局部显露于载体源极和载体漏极之间。此制作方法得到的薄膜晶体管使用第一基板制备载体源极和载体漏极，使用第二基板承载栅极层，使制备更加简单，得到的薄膜晶体管的电学性能更佳。
搜索关键词：	第一基板薄膜晶体管漏极源层源极栅极层第二基板栅绝缘层前体制备制作表面形成电学性能局部显露图案化翻转外露光电子底面承载申请
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【主权项】：

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供第一基板，所述第一基板包括载体源极和载体漏极；/n在所述第一基板上形成有源层；/n在所述有源层上形成栅绝缘层；/n在所述栅绝缘层上形成栅极层；/n在所述栅极层的表面形成第二基板得到前体；/n翻转所述前体，使所述第一基板的底面外露于所述有源层上；/n图案化所述第一基板，使所述第一基板包括分离的所述载体源极和所述载体漏极，且所述有源层局部显露于所述载体源极和所述载体漏极之间。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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