[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911022008.7 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110931500B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴继君 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制造方法。方法包括对半导体衬底的第一表面图案化，以形成多个凸起结构；在所述第一表面上方形成第一绝缘层和第一牺牲层，所述半导体衬底与所述第一牺牲层被所述第一绝缘层隔离；形成外延层，分别覆盖每个所述凸起结构的上表面；对所述外延层和所述第一牺牲层的上表面进行平坦化处理，以获得暴露所述外延层的工艺平面；以及在所述工艺平面上形成栅叠层结构以及贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱，所述多个沟道柱的底端经所述外延层与所述半导体衬底中的公共源区电连接。本申请中3D存储器件先形成外延层，并进行平坦化处理，获得了高度一致的外延层，避免了后形成外延层时无法保证外延层高度一致而导致的漏电等问题，提高了器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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