[发明专利]一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法在审
| 申请号： | 201911022490.4 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110690311A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底GaSe可见光探测器及制备方法，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。本发明有效降低表面对可见光光的反射损耗，增强可见光光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。 | ||
| 搜索关键词： | 功能层 衬底 上表面 可见光探测器 金属层电极 反射损耗 高灵敏度 谐振吸收 依次设置 生长 高带宽 制备 探测 | ||
【主权项】：
1.一种Si衬底GaSe可见光探测器，其特征在于，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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