[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911022803.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110828471B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 吴智鹏;张璐;韩凯;杨川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个导体层和多个绝缘层，栅叠层结构分为中间区域和位于中间区域两侧的台阶区域；以及多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，其中，台阶区域被划分为多个子台阶区域，多个子台阶区域在中间区域的两侧分别沿第一方向间隔分布，且在中间区域的两侧交错分布，每个子台阶区域至少在第一方向上形成台阶结构。该3D存储器件的子台阶区域交错分布且在第一方向形成台阶，有利于形成形状互补的存储块，提高了台阶区域的利用率，从而提高了3D存储器件的位密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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