[发明专利]嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图有效
| 申请号： | 201911022992.7 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783175B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李中华;李润领;田明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图，涉及半导体集成电路工艺，通过改进锗硅生长区域版图，将相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域定义为不透光的特定区域，使得经光刻刻蚀后形成的临近STI的沟槽呈完整的对称的sigma型，最终有源区上外延生长出的锗硅均是对称的有包边的锗硅，临近STI的锗硅靠近有源区的栅极侧的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离小于有源区内相邻两栅极之间的锗硅的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离，使得临近STI的器件沟道压应力提高促使漏电流大大增加，进而使得同一个有源区上的器件之间的漏电流偏差变小，而减少驱动能力出现失配的问题，大大提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 制造 方法 cmos 器件 生长 区域 版图 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式锗硅的制造方法，其特征在于，包括：/nS1：设计锗硅生长区域版图，该锗硅生长区域版图包括多个有源区及位于有源区之间的STI区域，该锗硅生长区域版图上还包括一特定区域，将该特定区域定义为不透光区域，其中该特定区域覆盖相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域，并出版光罩；/nS2：利用步骤S1中的光罩，在带有有源区、栅氧化层、栅极、栅极侧墙、PMOS浅掺杂和锗硅硬掩膜层的硅片上进行锗硅层光刻的光刻工艺；/nS3：进行刻蚀工艺，刻蚀出锗硅浅沟槽并进行湿法清洗；/nS4：进行湿法刻蚀工艺，刻蚀出sigma型深沟槽；以及/nS5：进行锗硅外延生长。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911022992.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
