[发明专利]一种仿真方法和装置及可读存储介质有效

专利信息
申请号: 201911025744.8 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN110750944B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 王正楠 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30;G06F30/36
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种仿真方法和装置及可读存储介质,在SPICE仿真系统中采用的三端电路等效电路模型基础上,在模型中加入了修正电路,利用所述修正电路来仿真所述电阻模块的电阻衬偏效应,可以在SPICE仿真系统中反映电阻的电阻衬偏效应。因此,根据所述电阻模块的仿真模型和仿真参数获取的仿真结果可以更好地反映实际电路中电阻的电阻衬偏效应,有效提高了SPICE仿真系统的仿真精度,从而获得更为精确的电路仿真结果。还可通过拟合调试来获取所述电阻模块的衬偏电压的一阶电压修正系数、所述电阻模块的衬偏电压的二阶电压修正系数以及所述电阻模块的衬偏电压随电阻宽度变化的修正系数。从而能较好的实现电阻随不同衬偏电压变化而变化的特性,较好的反映了电阻的电阻衬偏效应。
搜索关键词: 一种 仿真 方法 装置 可读 存储 介质
【主权项】:
1.一种仿真方法,用于在SPICE仿真系统中建立电阻模块的仿真模型,其特征在于,所述仿真方法包括:/nS1:获取所述电阻模块的仿真模型,所述仿真模型包括第一电阻、第二电阻、第一寄生二极管、第二寄生二极管以及修正电路,所述第一电阻与所述第二电阻用于仿真所述电阻模块的阻值,所述第一寄生二极管以及所述第二寄生二极管用于仿真所述电阻模块的N埋层对P阱的寄生二极管,所述修正电路用于仿真所述电阻模块的电阻衬偏效应;/nS2:获取所述电阻模块的仿真参数;/nS3:基于所述仿真模型和所述仿真参数进行SPICE仿真。/n
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