[发明专利]形成氧化物结构的方法在审
| 申请号： | 201911025940.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111354676A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李东根;李殷廷;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成氧化物结构的方法，包括：在衬底的顶面上形成第一组沟槽；以及对所述基板进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：在基板上形成非晶层；氧化所述非晶层；去除所述非晶层的一部分以形成衬里层，其中所述非晶层的厚度比所述衬里层的厚大；以及在所述衬里层上形成电介质衬垫层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化物 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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