[发明专利]发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法在审
申请号: | 201911027968.2 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110838502A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
发明(设计)人: | 林志伟;陈凯轩;曲晓东;蔡建九;柯志杰 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法,通过在衬底上形成若干个呈阵列分布的凹槽,各相邻所述凹槽形成凸起台面,并在各凹槽底面及凸起台面生长芯粒,从而使芯粒形成上下错位,进而能较为简单地实现所述凹槽及凸起台面的芯粒的分离,使所述凹槽的芯粒保留在所述衬底上,所述凸起台面的芯粒转移至所述转移基板上发光二极管芯片的巨量转移;同时,该发光二极管芯片的结构,能同时满足不同色系的发光二极管的巨量转移;最后,通过各凹槽的侧壁设置保护胶,能进一步使位于凹槽底面的芯粒在巨量转移过程中不被损坏,从而提高产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 制作 转移 方法 显示装置 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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