[发明专利]发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法在审

专利信息
申请号: 201911027968.2 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110838502A 公开(公告)日: 2020-02-25
发明(设计)人: 林志伟;陈凯轩;曲晓东;蔡建九;柯志杰 申请(专利权)人: 厦门乾照半导体科技有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361001 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种发光二极管芯片及制作和转移方法、显示装置及制作方法,通过在衬底上形成若干个呈阵列分布的凹槽,各相邻所述凹槽形成凸起台面,并在各凹槽底面及凸起台面生长芯粒,从而使芯粒形成上下错位,进而能较为简单地实现所述凹槽及凸起台面的芯粒的分离,使所述凹槽的芯粒保留在所述衬底上,所述凸起台面的芯粒转移至所述转移基板上发光二极管芯片的巨量转移;同时,该发光二极管芯片的结构,能同时满足不同色系的发光二极管的巨量转移;最后,通过各凹槽的侧壁设置保护胶,能进一步使位于凹槽底面的芯粒在巨量转移过程中不被损坏,从而提高产品的良率。
搜索关键词: 发光二极管 芯片 制作 转移 方法 显示装置 制作方法
【主权项】:
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