[发明专利]一种动态阈值隧穿场效应双栅器件在审
| 申请号： | 201911028127.3 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110797408A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 何进;任源;李春来;胡国庆;刘京京;潘俊;王小萌;何箫梦;于胜 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 36124 新余市渝星知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 廖平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种动态阈值隧穿场效应双栅器件。由控制栅电极、独立偏置栅电极、源区、漏区、沟道区和控制栅介质层组成；其中，所述独立偏置栅电极位于所述阈值隧穿场效应双栅器件底部的独立偏置栅介质层下，由独立偏置栅介质层与沟道区隔离；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧，并被控制栅介质将其与控制栅隔离。本发明涉及的器件可独立工作在栅控条件下，为低功耗电路设计提供一种选择方案，而且对阈值电压的调节灵敏度大于传统T‑FinFET器件和SOI隧穿器件。此外，其电学性能优于常规T‑FinFET器件和SOI隧穿器件。通过独立偏置栅的单独电压调制，可以将栅长缩小到20纳米及以下，并保持比较理想的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 隧穿 沟道区 双栅器件 栅介质层 场效应 控制栅 栅电极 漏区 源区 低功耗电路设计 隔离 控制栅介质层 控制栅电极 单独电压 电学性能 器件性能 阈值电压 灵敏度 栅长 调制 | ||
【主权项】：
1.一种动态阈值隧穿场效应双栅器件，由控制栅电极、独立偏置栅电极、源区、漏区、沟道区、控制栅介质层和独立偏置栅介质层组成；/n其中，所述独立偏置栅电极位于所述阈值隧穿场效应双栅器件底部的独立偏置栅介质层下，由金属衬底，并由独立偏置栅介质层与沟道区隔离；/n所述控制栅电极与所述沟道区通过控制栅介质层隔离，控制栅介质层从三个侧面包围所述沟道区；/n所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两端，并被控制栅介质层将其与控制栅隔离。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究院，未经北京大学深圳研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911028127.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
