[发明专利]一种晶圆键合方法

摘要

本发明提供一种晶圆键合方法，涉及半导体制备技术领域。该晶圆键合方法，包括以下步骤：S1.准备好两块晶圆体，首先将两块晶圆体浸入氢氟酸溶液中，去除晶圆体表面的自然氧化层，然后取出晶圆体对其进行干燥处理，再使用抛光设备将两块晶圆体的正面与背面进行抛光处理，保持两块晶圆体表面的光滑度；S2.在室温下将两块晶圆体先预键合，随后将键合后的晶圆转移至真空环境内，抽取真空环境内的气体，并将真空环境内的压强调节至2x10*(‑7)‑4x10*(‑7)Pa范围内，然后往真空环境内通入氮气。通过对晶圆进行处理，使得晶圆可以在室温下进行键合反应，无需传统的高温退火，从而提高了晶圆键合的效率，同时也降低了晶圆键合的成本，材料与结构间的热膨胀和热应力大大降低。

主权项

1.一种晶圆键合方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1.准备好两块晶圆体，首先将两块晶圆体浸入氢氟酸溶液中，去除晶圆体表面的自然氧化层，然后取出晶圆体对其进行干燥处理，再使用抛光设备将两块晶圆体的正面与背面进行抛光处理，保持两块晶圆体表面的光滑度；/nS2.在室温下将两块晶圆体先预键合，随后将键合后的晶圆转移至真空环境内，抽取真空环境内的气体，并将真空环境内的压强调节至2x10*(-7)-4x10*(-7)Pa范围内，然后往真空环境内通入氮气，1-2小时之后，将键合的两块晶圆体进行分离；/nS3.让晶圆体表面残余的氧化膜分解和表面吸附的氢发生解吸附，直至晶圆体表面的氧化膜和吸附的氢去除完全，然后将晶圆从真空环境内取出；/nS4.将两块晶圆体叠放在一起，在两块晶圆体之间加入少量的蒸馏水，再将晶圆体放入到密闭环境中，往密闭环境中添加少量的四氟化碳，利用含氟的等离子体处理晶圆表面，然后取出两块晶圆体对其进行压合，在室温下放置；/nS5.晶圆体在室温放置过程中，吸收水后的氧氟化硅层体积发生膨胀，使晶圆之间原子尺度接触面积增大，形成更多的Si-O-Si共价键。/n