[发明专利]一种半导体虚设元器件的高度控制方法在审
| 申请号： | 201911028693.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112735951A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 程丙坤 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体虚设元器件的高度控制方法，包括以下步骤：(1)在半导体虚设元器件的正面切割2～5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～5条互相平行的槽，正面和背面的槽数量差值为1，正面的槽和背面的槽互相平行，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合；(2)在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层，所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃；(3)在60～120℃下进行退火处理。本发明方法通过对槽的数量和切割位置的限定，极大的降低了半导体虚设元器件的高度，减少了半导体虚设元器件铺设在半导体元器件的过程中对正常元器件造成阴影。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 虚设 元器件 高度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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