[发明专利]压电薄膜及其制备方法和压电薄膜传感器有效
| 申请号： | 201911029090.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110752286B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 丁欢;李韦坤;马梦竹 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N30/098 | 分类号： | H10N30/098;H10N30/20 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压电薄膜及其制备方法和压电薄膜传感器。上述压电薄膜的制备方法包括如下步骤：将含有压电聚合物和溶剂的溶液在基底上涂布，得到薄膜，其中，压电聚合物为偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物；将薄膜在122℃～133℃下进行退火处理，得到压电薄膜。上述压电薄膜的制备方法能够得到压电性能好且柔韧性较好的压电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制备 方法 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将含有压电聚合物和溶剂的溶液在基底上涂布，得到薄膜，其中，所述压电聚合物为偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物；及/n将所述薄膜在122℃～133℃下进行退火处理，得到压电薄膜。/n
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