[发明专利]半导体材料基板、微型发光二极管面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201911029222.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110707119B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李允立;林子旸;刘应苍;吴志凌 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供一种微型发光二极管面板的制造方法包括形成半导体材料基板、形成多个晶体管元件、将多个晶体管元件转移并接合至线路基板上以及将多个微型发光二极管元件自微型发光二极管元件基板转移至线路基板上。半导体材料基板包括载板、牺牲层、无机绝缘层以及半导体材料层。牺牲层位于载板与无机绝缘层之间，且半导体材料层通过无机绝缘层接合于牺牲层。半导体材料层的电子迁移率大于20cm |
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| 搜索关键词： | 半导体材料 微型 发光二极管 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管面板的制造方法，包括：/n形成半导体材料基板，其中所述半导体材料基板包括载板、牺牲层、无机绝缘层以及半导体材料层，所述牺牲层位于所述载板与所述无机绝缘层之间，所述半导体材料层通过所述无机绝缘层接合于所述牺牲层，且所述半导体材料层的电子迁移率大于20cm
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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