[发明专利]一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911029462.5 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110828177B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李明晗;胡子阳;诸跃进 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于卤化物钙钛矿的光敏电容器及其制备方法,包括依次层状分布的导电衬底、绝缘层、钙钛矿层、PCBM层以及金属电极层，钙钛矿层在光照发生离子迁移(光致离子诱导迁移)，PCBM层对迁移的离子进行捕获，改变金属电极层和透明导电衬底之间的内建电场，从而改变金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数。钙钛矿材料具有受到光照产生离子迁移的特性，不同于小极化子，光照下钙钛矿材料中的卤素阴离子会被PCBM的捕获作用下逐渐在PCBM层内富集，与残留在钙钛矿层内的阳离子逐渐形成内建电场，光照越强，PCBM层内富集的卤素离子越多，相应内建电场越强，金属电极层和透明导电衬底之间的介电常数越大，抑制了离子复合，提升了载流子的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 卤化物 钙钛矿 光敏 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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