[发明专利]沟槽结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911030587.X | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112802746B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宋利娟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽结构及其形成方法；所述方法包括在基体的上表面形成图形化牺牲层，图形化牺牲层包括若干个牺牲单元；在牺牲单元的侧壁形成刻蚀掩膜层；位于相邻牺牲单元之间的刻蚀掩膜层之间具有开口间隙；在开口间隙内形成刻蚀延缓牺牲层；在相同刻蚀条件下，刻蚀延缓牺牲层与图形化牺牲层具有不同的刻蚀去除速率；基于刻蚀掩膜层去除图形化牺牲层及刻蚀延缓牺牲层，并刻蚀基体，以在基体内形成具有不同深度的沟槽，由于图形化牺牲层和延缓牺牲层被刻蚀的速率不同，刻蚀去除速率快的先被刻蚀掉，刻蚀去除速率慢的后别刻蚀掉，继续刻蚀会形成不同深度的沟道，简化了形成不同深度的沟槽的工艺过程，进而有利于生产效率的提高和成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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