[发明专利]晶圆键合方法以及键合后晶圆在审
| 申请号： | 201911030646.3 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110896025A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋维楠;余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法，包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆表面设置有作为键合对准的凸起；提供第二晶圆，所述第二晶圆表面设置有作为键合对准的凹陷；将第一晶圆和第二晶圆键合，键合后所述凸起和所述凹陷相互嵌套以增加键合精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 以及 键合后晶圆 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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