[发明专利]一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法在审
| 申请号： | 201911030858.1 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110783203A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 44384 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人： | 刘曰莹;彭涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，所述方法包括以下步骤：步骤1：提供一MOSFET，所述MOSFET经过辐照处理；步骤2：在所述MOSFET的栅极或漏极施加一定数值的电压，并持续一段时间，使得一部分电子进入所述MOSFET的栅极的氧化层，并与俘获的空穴进行复合。本发明通过对辐照后的MOSFET的栅极或漏极施加电压，使得电子进入栅极的氧化层与俘获的空穴复合，能够恢复器件的阈值电压，缓解MOSFET在高温下阈值电压下降严重的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值电压 辐照 氧化层 俘获 漏极 空穴 辐照处理 恢复器件 空穴复合 施加电压 复合 施加 缓解 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种恢复辐照后MOSFET阈值电压降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤1：提供一MOSFET，所述MOSFET经过辐照处理；/n步骤2：在所述MOSFET的栅极或漏极施加一定数值的电压，并持续一段时间，使得一部分电子进入所述MOSFET的栅极的氧化层，并与俘获的空穴进行复合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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