[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911031341.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110690310A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王秀鹏;王月斌;姚骞 | 申请（专利权）人： | 成都晔凡科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/20 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 刘迎春 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件以及其制造方法，异质结太阳能电池片包括基体片和设置在基体片的顶表面和底表面的电极，基体片包括中心层和在中心层的顶侧和底侧沿垂直于中心层的方向自中心层起依次层叠设置的多个非晶硅薄膜层和透光导电层，并且，在中心层的顶侧和底侧上且自中心层起，各个非晶硅薄膜层的掺杂浓度递增。在异质结太阳能电池片的非晶硅薄膜区域由多个掺杂浓度不同的非晶硅薄膜层共同形成，从而获得了掺杂浓度渐变的非晶硅薄膜区域，使得非晶硅薄膜区域与透光导电层的接触电阻较小、填充因子较高、钝化效果也较好、开路电压较高。 | ||
| 搜索关键词： | 中心层 异质结太阳能电池 非晶硅薄膜层 非晶硅薄膜 透光导电层 掺杂 顶侧 钝化效果 接触电阻 开路电压 浓度递增 填充因子 依次层叠 顶表面 瓦组件 电极 渐变 侧沿 垂直 制造 | ||
【主权项】：
1.一种异质结太阳能电池片，所述异质结太阳能电池片包括基体片、设置在所述基体片的顶表面上的正电极和和设置在所述基体片的底表面上的背电极，其特征在于，所述基体片包括中心层和在所述中心层的顶侧和底侧沿垂直于所述中心层的方向自所述中心层起依次层叠设置的多个非晶硅薄膜层和透光导电层，并且，在自所述中心层起指向所述正电极的方向上和自所述中心层起指向所述背电极的方向上，各个所述非晶硅薄膜层以掺杂浓度递增的方式排布。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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