[发明专利]基片温度稳定装置及方法、光刻系统有效
| 申请号： | 201911032185.3 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112799283B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 耿辉;陈淮阳;郑教增;庞飞;郝凤龙 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供基片温度稳定装置及方法、光刻系统。所述基片温度稳定装置包括设置在基片上片路径上第一工位的第一温度稳定模块和设置在基片上片路径上第二工位的第二温度稳定模块，从而可以在基片位于第一工位和第二工位的时间段内分别对基片进行温度稳定操作，分段调节可以增加对同一基片的温度稳定操作时间从而有助于提升上片后基片的温度稳定性和片内温度均一性，并且，由于两段温度稳定操作分别在不同工位执行，温度稳定操作的总时间增加对上片时间的影响小，有助于提高上片效率。所述温度稳定方法与所述基片温度稳定装置具有类似的效果。所述光刻系统包括上述基片温度稳定装置。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 稳定 装置 方法 光刻 系统 | ||
【主权项】：
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