[发明专利]改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统在审
申请号: | 201911032297.9 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN110729625A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 申亚军;尹鹏腾 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01S3/036 | 分类号: | H01S3/036;H01S3/03;H01S3/032;G03F7/20 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善激光发射源的方法、激光发射源以及光刻系统,所述改善激光发射源的方法包括:提供一放电腔,放电腔内通入有气体,对放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压,使得气体放电,产生激光。本发明具有缩短起辉时间,提高气体的利用率的优点。 | ||
搜索关键词: | 激光发射源 放电腔 光刻系统 激光发射 脉冲电压 气体放电 起辉 激光 施加 | ||
【主权项】:
1.一种改善激光发射源的方法,其特征在于,包括:提供一放电腔,所述放电腔内通入有气体,对所述放电腔施加一激光发射电压以及一脉冲电压,使得所述气体放电,产生激光。/n
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