[发明专利]含铜金属层的蚀刻方法、薄膜晶体管、显示装置及蚀刻剂在审
| 申请号： | 201911036116.X | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110714200A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 钱浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/18;H01L21/768 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含铜金属层的蚀刻方法，所述方法包括：在所述含铜金属层的上表面涂覆一层光阻；对所述光阻进行曝光显影，以形成预设的蚀刻图案；对所述含铜金属层进行湿蚀刻；以及剥离所述含铜金属层上表面的剩余的光阻，其中，所述湿蚀刻所用的蚀刻剂中含有铜离子，所述铜离子的浓度大于1500ppm。使用该方法，可有效地降低后续膜层干蚀刻过程中发生异常放电的几率，进而缓解了由该异常放电导致的机台宕机与产品不良的状况，该方法步骤简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 含铜金属层 光阻 异常放电 上表面 湿蚀刻 铜离子 机台 蚀刻 曝光显影 蚀刻图案 干蚀刻 蚀刻剂 有效地 膜层 涂覆 预设 宕机 剥离 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种含铜金属层的蚀刻方法，其特征在于，所述方法包括：/n在所述含铜金属层的上表面涂覆一层光阻；/n对所述光阻进行曝光显影，以形成预设的蚀刻图案；/n对所述含铜金属层进行湿蚀刻；以及/n剥离所述含铜金属层上表面的剩余的光阻，/n其中，所述湿蚀刻所使用的蚀刻剂包括铜离子，所述铜离子的浓度大于1500ppm。/n
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