[发明专利]一种三维螺线电感装置的制造方法、电感装置和滤波器有效
| 申请号： | 201911036184.6 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110767603B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈立均;代文亮;李书萍 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 苏杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及无源器件技术领域，特别是涉及一种三维螺线电感装置的制造方法。所述方法包括：在砷化镓块表面刻制电容下极板，并在电容下极板表面设置第一硅隔离介质层；在所述第一硅隔离介质层上刻制第一通孔，所述第一通孔连通至所述电容下极板，并在所述第一硅隔离介质层上刻制电容上极板；从所述砷化镓块与所述电容下极板相对的一面刻制第二通孔，所述第二通孔连通至所述电容下极板；在所述砷化镓块与所述电容下极板相对的一面刻制背面金属走线部。本发明实施例提供一种三维螺线电感装置的制造方法通过分别从砷化镓块的两面分别加工，形成并可实现三维螺旋电感，提升其品质因数，从而提升滤波器性能，满足应用需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 螺线 电感 装置 制造 方法 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种三维螺线电感装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n在砷化镓块表面刻制电容下极板，并在电容下极板表面设置第一硅隔离介质层；/n在所述第一硅隔离介质层上刻制第一通孔，所述第一通孔连通至所述电容下极板，并在所述第一硅隔离介质层上刻制电容上极板；/n从所述砷化镓块与所述电容下极板相对的一面刻制第二通孔，所述第二通孔连通至所述电容下极板；/n在所述砷化镓块与所述电容下极板相对的一面刻制背面金属走线部；/n其中，所述电容下极板、所述第二通孔、所述背面金属走线部与另一所述第二通孔、另一所述电容下极板依次首尾相连，以形成单匝线圈结构，重复所述单匝线圈结构可形成多匝三维螺线结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
