[发明专利]半导体工艺方法有效
| 申请号： | 201911036246.3 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750715B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘曦光 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体工艺方法；包括如下步骤：调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力，预设压力等于传片压力或低于传片压力且大于对工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出。上述半导体工艺方法通过调节工艺腔室内的腔室压力以使得工艺结束时腔室压力调节等于或略低于传片压力，可以显著降低工艺时间及传片自动控压时间，从而有效提高设备产能，降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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