[发明专利]金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底及构筑方法有效

专利信息
申请号: 201911038162.3 申请日: 2019-10-29
公开(公告)号: CN110726711B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 石刚;李赢;陈杰;靳璇;王利魁;王大伟;杨井国;桑欣欣;倪才华 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 苏张林
地址: 214122 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底及构筑方法,属于纳米材料技术领域。本发明基于多次界面自装方法,首先利用气液界面组装过程,构筑小球模板;然后再利用固液界面组装过程,模板诱导半导体碗结构阵列的形成;随后利用转移过程,将半导体碗组装到金字塔形锥体表面,形成仿生复眼结构;最后通过物理沉积法或化学沉积法在仿生复眼结构的表面修饰一层均匀分布的金属粒子,从而形成了一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底。整个过程简单易行。本发明的SERS基底由于其特殊的仿生结构和半导体材料的特殊性质,是一种具有高度敏感、可再生和可重复使用的活性基底。
搜索关键词: 金属 修饰 半导体 仿生 复眼 结构 sers 基底 构筑 方法
【主权项】:
1.一种金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底,其特征在于,包括锥形结构基底、包覆在所述的锥形结构基底表面的半导体碗以及均匀修饰在所述的半导体碗表面的金属粒子;所述的半导体碗为连续紧密排列的单层碗结构,半导体碗的高度为0.01~10μm,半导体碗的碗口直径为0.01~10μm;所述的锥为微米金字塔锥,微米金字塔锥的高度为1~100μm;所述的金属粒子的粒径为1~100nm。/n
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