[发明专利]一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件在审
| 申请号： | 201911038543.1 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750890A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 | 申请（专利权）人： | 季优科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及宽禁带功率电子器件技术领域，具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，包括Body电极和外壳体，所述外壳体的顶端设置有沟槽，所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属，所述栅金属的内侧设置有栅介质，所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层，所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组，所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛，所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极，本发明实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛，有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应，电场强度因P型浮岛的存在而减小，达到了抑制栅介质击穿引起的器件击穿现象，有利于提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 沟槽 垂直 氮化 功率 器件 | ||
【主权项】：
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