[发明专利]集成电路装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911039011.X | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106061A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡镇鸿;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路装置及其形成方法，在此提供了具有互连结构的集成电路及形成此集成电路的方法的范例。在一些范例中，此方法包含接收一包含层间介电层的工件。形成包含接触件填充物的第一接触件，且其延伸穿过层间介电层。凹蚀层间介电层，使得接触件填充物延伸出层间介电层的顶表面。在层间介电层上形成蚀刻停止层，使得第一接触件的接触件填充物延伸进蚀刻停止层。形成第二接触件，其延伸穿过蚀刻停止层以连接至第一接触件。在一些这样的范例中，第二接触件和第一接触件的顶表面及侧表面物理接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
