[发明专利]应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺有效
| 申请号： | 201911041214.2 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110752273B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 汪松柏;姜勇飞;徐明靖;管梦莹;李凡 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，它包括以下步骤：提供太阳能原始硅片、对原始硅片进行制绒、酸洗、水洗和吹干处理、硅片进行磷扩散处理、去除硅片背面以及侧面的磷硅玻璃和PN结、硅片的背面和侧面进行碱抛刻蚀、硅片的正面进行PN结推进、在硅片的正面镀两层氮化硅膜、在硅片的背面镀两层氮氧化硅膜和两层氮化硅膜、在硅片的背面开窗、对硅片进行丝网印刷。本发明的工艺在硅片的背面镀两层氮氧化硅膜和两层氮化硅膜，因为氮化硅膜有一定的反射效果，将透过氮化硅膜到达背面的光反射到氮化硅膜内，二次吸收，降低了电池近红外光寄生吸收引起的电流下降。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 多晶 硅片 简化 背面 钝化 电池 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺，其特征是该工艺包括以下步骤：/na、提供太阳能原始硅片；/nb、对原始硅片进行制绒、酸洗、水洗和吹干处理；/nc、硅片进行磷扩散处理；/nd、去除硅片背面以及侧面的磷硅玻璃和PN结；/ne、硅片的背面和侧面进行碱抛刻蚀；/nf、硅片的正面进行PN结推进；/ng、在硅片的正面镀第一氮化硅膜，在第一氮化硅膜上镀第二氮化硅膜；/nh、在硅片的背面镀第一氮氧化硅膜，在第一氮氧化硅膜上镀第二氮氧化硅膜，在第二氮氧化硅膜上镀第一氮化硅膜，在第一氮化硅膜上镀第二氮化硅膜；/ni、在硅片的背面开窗；/nj、对硅片进行丝网印刷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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