[发明专利]晶体管终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911042743.4 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110911475A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张曌;李杰;魏国栋;刘玮;田甜 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 518172 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管终端结构及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，衬底上形成有第一掩膜层，第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；通过分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在衬底上形成多个分压环；在衬底上形成第二掩膜层，第二掩膜层开设有截止环注入窗口；通过截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在衬底上形成截止环，终端结构在各拐角部的截止间距大于在各平直部的截止间距。本发明在拐角部的截止间距大于在平直部的截止间距。晶体管的有源区是低电位，截止环处为高电位，在拐角部形成电场集中的尖峰。拐角部的截止间距越大，截止环与有源区的距离就越远，高电压击穿空气的距离越长，能够避免有源区与截止环间的电弧放电的异常现象出现。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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