[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201911044092.2 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128858A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李佳恩;黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀;张峰瑜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供利用双电阻率导电材料形成垂直传导和横向传导的低成本电阻器结构的方法。使用单个沉积工艺步骤将双电阻率导电材料沉积于介电层的开口中。通过以杂质预处理介电材料的一部分来稳定钨的高电阻率β相。介电材料中含有杂质的部分包含横向邻近需要高电阻率β‑W的区域。在后续的钨沉积步骤期间，杂质可能会扩散出来并掺入钨中，借此使金属稳定在高电阻率β‑W相中。在未经杂质预处理的区域中，β‑W转变为钨的低电阻率α相。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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