[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201911044198.2 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128738B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘思杰;聂俊峰;张惠政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H10B10/00;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：对半导体衬底执行第一注入工艺以形成深p阱区域，利用扩散阻滞元素对半导体衬底执行第二注入工艺以形成共同注入区域，以及对半导体衬底执行第三注入工艺，以在深p阱区域上方形成浅p阱区域。共同注入区域通过浅p阱区域的一部分与半导体衬底的顶表面间隔开，并且深p阱区域和浅p阱区域彼此连接。形成n型鳍式场效应晶体管(FinFET)，其中深p阱区域和浅p阱区域用作n型FinFET的阱区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
