[发明专利]一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法在审
| 申请号： | 201911044439.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111206282A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李春忠;吴皓;朱莉 | 申请（专利权）人： | 德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B15/10;C30B33/02 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 313299 浙江省湖州市德*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法，包括如下步骤：（1）多晶原料的制备：将碳酸锂和氧化铌原料混合烧结后压块破碎，得到多晶原料；（2）晶体的生长：将多晶原料放入位于多层温场中的铂金坩埚内，采用提拉法进行晶体生长，经过引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱后得到多畴晶体；（3）晶体的退火和极化：将多畴晶体埋入多晶原料中，进行退火和极化，得到所述8英寸铌酸锂晶体。本发明晶体生长过程中采用多层温场，保证温场均匀无突变，避免晶体多晶和开裂，晶体生长更容易控制；采用埋粉法退火极化，晶体不易开裂；制备多晶原料时进行多次混合烧料，可以确保晶体居里温度稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 铌酸锂 晶体 生产 方法 | ||
【主权项】：
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