[发明专利]太赫兹信号探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911045501.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783354B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 戴阳;邵龑;杨春雷 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;但念念 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种太赫兹信号探测器，所述太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，所述薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接，所述薄膜晶体管用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。本发明通过将TFT作为太赫兹信号的处理电路，从而可以实现百万级像素以上的高分辨率太赫兹成像。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 信号 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹信号探测器，其特征在于，所述太赫兹信号探测器包括衬底及设置于所述衬底上的太赫兹信号探测像素阵列，所述太赫兹信号探测像素阵列包括多条信号线、多条数据线以及由所述多条信号线和所述多条数据线交叉限定的多个像素单元，每一个所述像素单元包括太赫兹信号接收层和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极与所述太赫兹信号接收层电连接，所述薄膜晶体管的漏极与其中一条数据线连接，所述薄膜晶体管的栅极与其中一条信号线连接，所述薄膜晶体管用于将所述太赫兹信号接收层接收的太赫兹信号转换为电信号并输出。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院，未经深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911045501.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：摄像面板
- 下一篇：一种探测面板、其制作方法及检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
