[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201911046453.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110739264B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 彭利;李泓博 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成内衬氧化层，所述内衬氧化层覆盖所述隔离沟槽的内表面；在所述隔离沟槽中形成内衬硅层，所述内衬硅层覆盖所述内衬氧化层；所述隔离沟槽中填充可流动含硅聚合物层，所述可流动含硅聚合物层覆盖所述内衬硅层；将所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物，且在所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物的过程中，至少部分所述内衬硅层也转化成氧化物。即在隔离沟槽中形成内衬氧化层之后增加一层内衬硅层，由于内衬硅层在可流动含硅聚合物转化成氧化物时，所述内衬硅层也会发生反应形成二氧化硅，体积膨胀，从而可以填补因硅不足而导致的空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 形成 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底具有隔离沟槽；/n在所述隔离沟槽中形成内衬氧化层，所述内衬氧化层覆盖所述隔离沟槽的内表面；/n在所述隔离沟槽中形成内衬硅层，所述内衬硅层覆盖所述内衬氧化层；/n所述隔离沟槽中填充可流动含硅聚合物层，所述可流动含硅聚合物层覆盖所述内衬硅层；/n将所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物，且在所述可流动含硅聚合物层转化成氧化物的过程中，至少部分所述内衬硅层也转化成氧化物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
