[发明专利]发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201911047058.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111009598B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放在反应室内的承载盘上；在所述衬底上依次生长低温缓冲层和高温外延层；控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述高温外延层上生长第一N型半导体层；对所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；其中，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大；控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述第二N型半导体上生长第三N型半导体层；在所述第三N型半导体层上依次有源层和P型半导体层。本公开可以修复贯穿线缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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