[发明专利]一种Micro OLED显示器结构及其制备方法在审

申请号：	201911047116.X	申请日：	2019-10-30
公开（公告）号：	CN110739341A	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	李雪原;任清江;晋芳铭;曹贺;吕磊;许嵩	申请（专利权）人：	安徽熙泰智能科技有限公司
主分类号：	H01L27/32	分类号：	H01L27/32;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/77
代理公司：	34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司	代理人：	钟雪
地址：	241000 安徽省芜湖市芜湖长江***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明公开了一种Micro OLED显示器结构及其制备方法，结构包括：基底，基底包括PAD连接区域及非PAD连接区，PAD连接区的基底厚度薄于非PAD连接区的基底厚度，CMOS驱动电路设于非PAD连接区上，PAD连接区上设有若干个TSV通孔，TSV通孔内形成有与TSV通孔尺寸相适配的金属柱，在基底的下表面设有金属PAD，金属PAD的上表面覆盖整个金属柱的底面，在基底的上表面设有OLED发光区，在OLED发光区的上表面、未覆盖OLED发光区的基底上表面以及金属柱顶面设有连续的封装薄膜。本发明通过硅深孔的技术手段，使得金属PAD与CMOS电路通过导电介质连接，将金属PAD设置在OLED发光区对侧，不需要使用TFE图案化制程，降低工艺复杂性，节省工艺成本，提升整体制程的良率。
搜索关键词：	基底连接区发光区金属柱上表面金属工艺复杂性基底上表面图案化制程导电介质封装薄膜工艺成本技术手段连接区域下表面底面顶面良率深孔适配制程覆盖制备
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【主权项】：

1.一种Micro OLED显示器结构，其特征在于，所述结构包括：/n基底，所述基底包括PAD连接区域及非PAD连接区，PAD连接区的基底厚度薄于非PAD连接区的基底厚度，CMOS驱动电路设于非PAD连接区上，PAD连接区上设有若干个TSV通孔，TSV通孔内形成有与TSV通孔尺寸相适配的金属柱，在基底的下表面设有金属Pad，金属PAD的上表面覆盖整个金属柱的底面，在基底的上表面设有OLED发光区，在OLED发光区的上表面、未覆盖OLED发光区的基底上表面以及金属柱顶面设有连续的封装薄膜。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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