[发明专利]一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置在审
| 申请号： | 201911050071.1 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110643950A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 范希营 | 申请（专利权）人： | 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，包括坩埚、火山口、多个衬锅、多个升降装置和驱动装置，所述坩埚内设有多个坩埚容器，所述衬锅内盛放蒸镀源且放置在所述坩埚容器内，坩埚上方置有所述火山口，坩埚底端开设有多个孔口，所述升降装置穿过孔口与坩埚连接，并所述驱动装置电性连接，驱动装置控制并调节衬锅的运作状态，本发明调节衬锅的高度，缩小衬锅与火山口之间的间隙，改善了在蒸镀过程中相邻蒸镀源间的交叉污染现象，减少因镀源污染造成的片源异常，降低异常率，减少镀源交叉污染导致镀源无法继续使用，造成镀源的浪费，有效地降低成本；在蒸镀过程中，由于衬锅底部远离坩埚容器底部。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 镀源 坩埚容器 火山口 蒸镀源 交叉污染 驱动装置 升降装置 孔口 蒸镀 半导体加工领域 交叉污染现象 驱动装置控制 电性连接 运作状态 蒸镀装置 有效地 底端 盛放 穿过 污染 | ||
【主权项】：
1.一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置，其特征在于，包括坩埚（2）、火山口（1）、多个衬埚（3）、多个升降装置（5）和驱动装置（6），所述坩埚（2）内设有多个坩埚容器（211），所述衬埚（3）内盛放蒸镀源且放置在所述坩埚容器（211）内，坩埚（2）上方置有所述火山口（1），坩埚（2）底端开设有多个孔口（4），所述升降装置（5）穿过孔口（4）与坩埚（2）连接，并所述驱动装置（6）电性连接，驱动装置（6）控制并调节衬埚（3）的运作状态。/n
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