[发明专利]集成DBR的垂直结构LED及其形成方法在审
| 申请号： | 201911050771.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110783439A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王永进 | 申请（专利权）人： | 南京亮芯信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 210019 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及照明、显示和光通信技术领域，尤其涉及一种集成DBR的垂直结构LED及其形成方法。所述集成DBR的垂直结构LED包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR层的垂直结构LED发射的光线的波长；第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。本发明在LED器件内部形成谐振腔，显著提升电光转换效率，实现了对LED器件发光品质的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 衬底 垂直结构LED 第一表面 外延层 接触层 光通信技术领域 电光转换效率 第二表面 发光品质 量子阱层 谐振腔 波长 叠置 垂直 背离 发射 | ||
【主权项】：
1.一种集成DBR的垂直结构LED，其特征在于，包括：/n导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；/n第一DBR层，位于所述导电衬底的所述第一表面上；/n外延层，位于所述第一DBR层上，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的第一接触层、量子阱层和第二接触层，所述外延层的厚度小于集成DBR的垂直结构LED发射的光线的波长；/n第二DBR层，位于所述外延层背离所述第一DBR层的表面。/n
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