[发明专利]一种柔性衬底上晶体取向和极性可控的外延AZO薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911052006.2 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110724922B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 徐从康;李永宽;王江涌 | 申请（专利权）人： | 汕头大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 曹江;周增元 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种柔性衬底上晶体取向和极性可控的外延AZO薄膜及其制备方法，制备方法包括(1)将由镍合金基带与织构化缓冲层构成的耐高温柔性衬底和靶材放入真空室并抽真空，并给衬底加热；(2)通过流量控制器给真空室通入气体；(3)通过磁控溅射生长AZO薄膜。得到的柔性外延AZO薄膜：1.晶体取向与极性可控，包含了极性外延AZO(002)薄膜，非极性外延AZO(110)薄膜以及多晶AZO薄膜；2.薄膜导电率高，导电率范围为3Ω·cm至2E‑5Ω·cm；3.薄膜生长在耐高温柔性衬底上，适合卷对卷大规模工业化生产，其适用弯曲半径可低至0.5cm；4.薄膜与衬底耐高温，制备与应用时可耐800℃高温；5.薄膜具有透明性，厚度约为100nm、粗糙度Rq为1‑5cm时，可见光透过率为80％‑95％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 衬底 晶体 取向 极性 可控 外延 azo 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性衬底上晶体取向和极性可控的外延AZO薄膜的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：/n(1)将由镍合金基带与织构化缓冲层构成的耐高温柔性衬底和靶材放入真空室并抽真空，并给衬底加热；/n(2)通过流量控制器给真空室通入气体；/n(3)通过磁控溅射生长AZO薄膜。/n
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