[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法有效
| 申请号： | 201911052384.0 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110765712B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张瑜;商干兵 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，MOSFET陷阱辅助隧穿模型为由初始模型优化而成的优化模型；初始模型中陷阱辅助隧穿电流为初始第一函数和第二函数的乘积；初始第一函数与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关；第二函数为和漏极电流相关的函数；初始第一函数的参数和器件的尺寸或偏压变化无关；优化模型中具有由初始第一函数优化而成的优化第一函数，优化第一函数的参数为随器件尺寸或偏压而变化的函数。本发明还公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同尺寸或者不同偏压的情况下的器件拟合，提高模型精度。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 陷阱 辅助 模型 及其 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，其特征在于：MOSFET陷阱辅助隧穿模型为由初始模型优化而成的优化模型；/n所述初始模型中陷阱辅助隧穿电流为初始第一函数和第二函数的乘积；所述初始第一函数与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关；所述第二函数为和漏极电流相关的函数；所述初始第一函数的参数和器件的尺寸或偏压变化无关；/n所述优化模型中具有由所述初始第一函数优化而成的优化第一函数，所述优化第一函数的参数为随器件尺寸或偏压而变化的函数，使MOSFET的尺寸或偏压变化时，所述优化第一函数的参数也随之变化，使所述MOSFET陷阱辅助隧穿模型中的所述陷阱辅助隧穿电流的仿真精度提升。/n
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