[发明专利]反溅射率的测量方法在审
| 申请号： | 201911052501.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110767565A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 羌宇星;黄颖;杨奕 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反溅射率的测量方法，包括：在晶圆上通过溅射工艺形成第一薄膜层；在第一薄膜层上，同时通过溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层，第一薄膜层和第二薄膜层包括相同的材料；通过第一薄膜层和第二薄膜层的厚度差值，以及形成第二薄膜层的时间计算得到反溅射率。本申请通过在晶圆上溅射沉积第一薄膜层，在第一薄膜层上通过溅射和反溅射工艺形成第二薄膜层，通过第一薄膜层和第二薄膜层的厚度，形成第二薄膜层的时间计算得到反溅射率，由于第一薄膜层和第二薄膜层都是在同一晶圆上形成，因此在测量过程中只需使用一片晶圆即可测量得到反溅射率，提高了晶圆的使用率的同时减少了测量的时间，提高了测量效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 反溅射 晶圆 溅射 时间计算 测量 测量过程 测量效率 溅射沉积 使用率 申请 | ||
【主权项】：
1.一种反溅射率的测量方法，其特征在于，包括：/n在晶圆上通过溅射工艺形成第一薄膜层；/n在所述第一薄膜层上，同时通过所述溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括相同的材料；/n通过第一薄膜层的第一厚度、所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度之和，以及形成所述第二薄膜层的时间计算得到反溅射率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
