[发明专利]一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法有效
| 申请号： | 201911052572.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110790586B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 范天扬;张舸;崔聪聪;董斌超;徐传享;张巍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B35/573 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，包括以下步骤：将反应烧结SiC陶瓷的侧面进行表面处理；将表面处理后的SiC陶瓷置于平铺的Si粉中掩埋，之后置于真空环境中升温，使Si直接浸渗到所述表面处理后的SiC陶瓷的疏松芯部中缺陷位置处，保温一段时间后降温，去除残余的Si，得到致密化的SiC陶瓷。本发明的反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化方法，通过直接对疏松芯部的缺陷位置处浸渗Si，并保留足够的二次浸渗Si与原有Si的反应时间，更好更快地得到致密且均匀的SiC陶瓷，提高了反应烧结SiC陶瓷的利用率，避免了重复制备工序，操作容易，过程简单，显著提高了反应烧结SiC陶瓷疏松芯部的致密化处理效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 烧结 sic 陶瓷 疏松 致密 方法 | ||
【主权项】：
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