[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201911053912.4 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750702A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有鳍部，鳍部包括密集区和稀疏区；在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的鳍部内；在衬底、源漏掺杂层以及栅极结构的表面上形成介质层，介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面；刻蚀介质层，在介质层内形成暴露源漏掺杂层顶部的接触孔；在接触孔内形成导电结构；在介质层以及导电结构上形成掩膜层，掩膜层的开口暴露出稀疏区之间栅极结构顶部的部分介质层和部分导电结构的顶部表面；刻蚀去除暴露出的介质层、位于所述介质层底部的栅极结构和导电结构，至暴露出所述衬底的表面。本发明提高形成的半导体器件的质量和性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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