[发明专利]一种基于单层MoS在审
| 申请号： | 201911056006.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110690317A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;郑昱林;王文樑;唐鑫;柴吉星;孔德麒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0336;C23C14/30;C23C14/18 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于单层MoS | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱阵列 单层 紫外探测器 自供电 薄膜 金属电极 异质结 制备 纳米柱阵列顶部 光电集成器件 薄膜转移 程度减小 上支撑 衬底 底端 湿法 旋涂 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于单层MoS
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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