[发明专利]一种探测面板、其制作方法及检测装置在审
申请号: | 201911056697.3 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110783355A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 赵斌;徐帅;徐晓娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张佳 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种探测面板、其制作方法及检测装置,该探测面板包括:衬底基板,位于衬底基板之上的检测电路,位于检测电路之上、且与检测电路电连接的光电转换结构,以及位于光电转换结构之上、且与光电转换结构电连接的偏置电压层;偏置电压层具有网格状结构。本发明通过将偏置电压层设置成网格状结构,当由于检测人员触碰探测面板表面或由于探测面板清洗工艺不完全造成静电聚集于探测面板表面时,网格状结构的偏置电压层可以将静电及时疏导出,避免静电聚集于探测面板表面,提升探测面板抵抗ESD的能力及减少静电类Mura不良,进而改善探测面板表面由于静电积累导致接触性不良的问题。 | ||
搜索关键词: | 探测面板 偏置电压 光电转换结构 网格状结构 检测电路 衬底基板 静电聚集 静电 电连接 检测装置 静电积累 清洗工艺 接触性 触碰 疏导 抵抗 检测 制作 | ||
【主权项】:
1.一种探测面板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的检测电路,位于所述检测电路之上、且与所述检测电路电连接的光电转换结构,以及位于所述光电转换结构之上、且与所述光电转换结构电连接的偏置电压层;/n所述偏置电压层具有网格状结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的