[发明专利]一种薄膜电极及其液相自攀爬制备方法与应用在审
| 申请号： | 201911056964.7 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110767544A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 高俊宁 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L29/43;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;隆翔鹰 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电极及其液相自攀爬制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：（1）制备超亲水表面与超疏水层；（2）制备亲/疏水阵列图形；（3）制备薄膜电极。将纳米导电颗粒分散在不互溶的水油界面上，使得其在表面张力的作用下，沿着所述带有亲/疏水阵列图形的衬底的亲水性区域爬升并均匀吸附成膜，生成图形电极。本发明所提供的图形电极制备工艺流程简单高效，避免了对光刻机及其附属设备，以及传统高能耗薄膜电极沉积设备的依赖，极大地降低了器件制备成本，尤其适用于多功能半导体和微纳传感器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜电极 图形电极 阵列图形 疏水 多功能半导体 纳米导电颗粒 超亲水表面 亲水性区域 微纳传感器 沉积设备 附属设备 均匀吸附 器件制备 爬升 工艺流程 不互溶 疏水层 衬底 成膜 刻机 攀爬 水油 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电极的液相自攀爬制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）制备超亲水表面与超疏水层：/n取衬底，并清洗衬底表面有机物和杂质，对衬底进行羟基化处理，在衬底表面引入羟基，形成超亲水表面；然后生长疏水单分子层，羟基为生长疏水单分子层提供成键位点，疏水单分子层与所述羟基中的氧原子结合，形成超疏水层；/n（2）制备亲/疏水阵列图形：/n在超疏水层上放置掩膜板，所述掩膜板包括透光部分和不透光部分，用紫外光通过透光部分辐照到超疏水层上，超疏水层分解形成超亲水表面，得带有亲/疏水阵列图形的衬底；/n（3）制备薄膜电极：/n取生长容器，加入油相、水相和纳米导电颗粒，超声震荡，将带有亲/疏水阵列图形的衬底插入生长容器中，纳米导电颗粒沿着超亲水层爬升，从而形成薄膜电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
