[发明专利]一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 201911058197.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110808287B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;杨玲;叶然;卢丽;王琪朝;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种优品质因数横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有N型区，在N型区的上方有P型体区和N型漂移区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在N型漂移区内设有N型漏区，在N型漏区、N型源区和P型区上设有金属接触，在N型区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅场板，在栅氧化层和N型漏区之间设有场氧层，在场氧层上方设有源级场板，其特征在于，所述源级场板由一排相互间隔排列且相抵的低位源级场板和高位源级场板组成，高位源级场板与N型漂移区之间的距离大于低位源级场板与N型漂移区之间的距离。本发明可在击穿电压基本不变的基础上，获得较优的品质因数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 品质因数 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
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