[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911059396.6 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111697002B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置及其制造方法。一种形成3D存储器装置的工艺包括形成具有多个层叠的层的层叠结构，蚀刻层叠结构以形成各自包括多个阶梯的阶梯沟槽，在阶梯沟槽上方形成具有多个开口的硬掩模层，在硬掩模层上方形成光致抗蚀剂层，并且使用硬掩模层和光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模通过多个开口进行蚀刻以将阶梯沟槽的底部延伸至更低的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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