[发明专利]阵列式MEMS磁传感器实时标定方法有效

专利信息
申请号: 201911059650.2 申请日: 2019-11-01
公开(公告)号: CN110672127B 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 白春风;徐祥;朱琳;徐大诚 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G01C25/00 分类号: G01C25/00;G06F30/20;G06F17/18
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 苏张林
地址: 215168 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法。本发明一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法,包括:获取阵列MEMS磁传感器实时数据并进行预处理;将阵列式MEMS磁传感器数据进行均值运算;建立统一的阵列式MEMS磁传感器标定模型;通过参数模型,设计自适应Kalman滤波算法,实现参数估计,标定过程采样点数为M,若k=M,则输出标定结果,完成阵列式MEMS磁传感器标定过程,若k<M,表示标定过程未完成,则重复上述步骤,直至标定过程结束,其中,k和M都是正整数。本发明的有益效果:(1)本发明采用统一的阵列式MEMS磁传感器测量模型,具有减小测量噪声的优点;(2)本发明设计参数估计模型,具有实时估计未知参数并构造标定结果的优点。
搜索关键词: 阵列 mems 传感器 实时 标定 方法
【主权项】:
1.一种阵列式MEMS磁传感器实时标定方法,其特征在于,包括:/n获取阵列MEMS磁传感器实时数据并进行预处理。/n将阵列式MEMS磁传感器数据进行均值运算;/n建立统一的阵列式MEMS磁传感器标定模型;/n通过参数模型,设计自适应Kalman滤波算法,实现参数估计,标定过程采样点数为M,若k=M,则输出标定结果,完成阵列式MEMS磁传感器标定过程,若k<M,表示标定过程未完成,则重复上述步骤,直至标定过程结束,其中,k和M都是正整数。/n
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