[发明专利]一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘有效
| 申请号： | 201911059867.3 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN112768331B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;吴狄;倪图强;黄国民 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;刘琰 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘，其中静电卡盘用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片，其包括穿过该静电卡盘上表面至下表面，用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔；所述气孔内填塞有至少一个孔塞；所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔，所述通孔的内径小于所述气孔的内径。本发明通过在静电卡盘气孔内填塞至少一个孔塞，而孔塞上布置有若干通孔，实现了在保证静电卡盘上基片的温度均匀性的情况下，进一步避免了因静电卡盘的气孔内冷却气体解离所造成的气孔内壁被击穿，而在气孔中产生杂质颗粒的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 装置 及其 电极 组件 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
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