[发明专利]氮化铝基板及III族氮化物层叠体在审
| 申请号： | 201911060185.4 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110589757A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 弘中启一郎;木下亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | B82Y20/00 | 分类号： | B82Y20/00;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L21/02;H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种高效率、高品质的III族氮化物半导体元件，并且目的还在于，提供用于制作该III族氮化物半导体元件的新型的氮化铝基板(氮化铝单晶基板)。本发明提供一种氮化铝基板，是由氮化铝构成的基板，其至少在表面具有以相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.05°以上0.40°以下的范围内向m轴方向倾斜的面作为主面的氮化铝单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝基板 氮化铝单晶基板 氮化铝单晶层 纤锌矿结构 氮化铝 高品质 高效率 基板 制作 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物层叠体，其特征在于，/n具有由氮化铝构成的氮化铝基板，所述氮化铝基板至少在表面具有以相对于纤锌矿结构的(0001)面在0.05°以上且0.40°以下的范围内向m轴方向倾斜的面作为主面的氮化铝单晶层，/n在所述氮化铝基板的所述氮化铝单晶层的主面上，直接层叠掺杂有Si的满足以Al
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